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[资料] 安森美MPSH24/MMBTH24 NPN通用放大器datasheet

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发表于 2023-2-16 10:31:57 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
该器件设计用于集电极电流在100mA至20mA范围内至300MHz的共发射器低噪声放大器和混频器应用,以及用于驱动FET混频器的高输出水平的低频率漂移共基VHF振荡器应用。

绝对最大等级TC = 25°C,除非另有说明
SymbolParameterValueUnits
VCEOCollector-Emitter Voltage30V
VCBOCollector-Base Voltage40V
VEBOEmitter-Base Voltage4.0V
ICCollector current                                - Continuous50mA
TJ, TstgJunction and Storage Temperature-55 ~ +150

电气特性TC = 25°C,除非另有说明
Symbol
Parameter
Test ConditionMin.Typ.Max.Units
Off Characteristics
V(BR)CEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage *
IC = 1.0mA, IB = 030

V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100mA, IE = 040


V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10mA, IC = 04.0

VV
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 15V, IE = 0

50nA
On Characteristics
hFE
DC Current Gain
IC = 8.0mA, VCE = 10V30


Small Signal Characteristics
fT
Current Gain Bandwidth product
IC = 8.0mA, VCE = 10V, f = 100MHz400

MHz
Ccb
Collector-Base Capacitance
VCB = 10V, IE = 0, f = 1.0MHz

0.36pF

除非另有说明,否则热特性ta = 25°C
Symbol
Parameter
Max.
Units
MPSH24*MMBTH24
PD
Total Device Dissipation Derate above 25℃
625
5.0
225
1.8
mW mW/℃
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
℃/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200556℃/W
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