汇顶科技GR5515I0NDA外部Flash选型指导手册

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汇顶科技GR5515I0NDA使用外部Flash，由于不同厂商和型号的Flash具有不同的功能和使用限制，本文将从电气特性和功能特性对外部Flash的规范进行介绍，以供用户在GR5515I0NDA Flash选型时参考。
GR5515I0NDA Flash使用的pin脚如表 1-1 所示：
表 1-1 GR5515I0NDA和外部Flash的连接

GR5515I0NDA GPIO引脚	外部Flash QSPI引脚
GPIO_18	QSPI_CS_N
GPIO_19	QSPI_IO_3
GPIO_20	QSPI_CLK
GPIO_21	QSPI_IO_2
GPIO_22	QSPI_IO_1
GPIO_23	QSPI_IO_0

基于QSPI引脚，GR5515I0NDA和外部Flash的连接示意图如图 1-1所示。

图 1-1 GR5515I0NDA和外部Flash的连接示意图（基于QSPI） 版

图 1-1 GR5515I0NDA和外部Flash的连接示意图（基于QSPI）


2 电气特性
2.1 一般电气特性
GR5515I0NDA Flash要求的一般电气特性参数如下表：
表 2-1 GR5515I0NDA Flash一般电气特性

参数	Min.	Typ.	Max.	Unit
工作电压	1.7	3.3	3.6	V
工作温度	-40	-	85	℃
储存温度	-65	-	150	℃
Memory容量	256	-	-	KB

2.2 硬件交流电气特性
GR5515I0NDA Flash要求的硬件交流电气特性参数如下表：
表 2-2 GR5515I0NDA Flash硬件交流电气特性

参数	描述	Min.	Typ.	Max.	Unit
VIH	输入高电压	VDDIO x 0.7	-	VDDIO	V
VIL	输入低电压	VSSIO	-	VDDIO x 0.3	V
VOH,H	输出高电压@2.5 mA，VDD ≥ 3 V	VDDIO - 0.4	-	VDDIO	V
VOL,H	输出低电压@2.5 mA，VDD ≥ 3 V	VSSIO	-	VSS + 0.4	V
fsck	时钟频率	64	-	-	MHz
tCH	串行时钟高电平时间	4.5	-	-	ns
tCL	串行时钟低电平时间	4.5	-	-	ns
tCLCH	时钟上升沿时间（波谷到波峰）	0.1	-	-	V/ns
tCHCL	时钟下降沿时间（波峰到波谷）	0.1	-	-	V/ns
tDVCH	数据建立时间	2	-	-	ns
tCHDX	数据保持时间	3	-	-	ns
tSLCH	片选到时钟有效建立时间	5	-	-	ns
Tclqv(TV)	时钟下降沿到输出有效时间@负载30pF	-	-	7	ns
Cin	引脚输入电容@vin = 0	-	-	6	pF
Cout	引脚输出电容@vin = 0	-	-	8	pF
Temperature	工作温度	-40	-	85	°C

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