美信DS1855双重非挥发性数字电位器和安全存储器datasheet

sfvcvf

DS1855双重非挥发性（NV）数字电位器和安全存储器由一个100位线性锥度电位器组成，一个256位置线性锥度电位器，256个字节的EEPROM存储器和2线接口。 DS1855具有新的软件写入保护，是DS1845的升级。 DS1855提供了使用最小电路在控制应用中设置偏置电压和电流的理想方法。 EEPROM内存允许用户为特定系统或设备存储配置或校准数据，并提供对电位计刮水器设置的控制。 任何类型的用户信息都可以驻留在此内存的前248个字节中。 EEPROM内存的下两个地址是用于电位计的设置，其余的6个字节保留了。 这些保留和电位计寄存器不应用于数据存储。 使用此EEPROM是通过行业标准的2-Wire巴士。 接口I/O引脚由SDA和SCL组成。 DS1855的刮水器位置以及EEPROM数据可以使用Write-Protect Input Pin（WP）或使用2-Wire接口进行保护。

特征
两个线性锥度电位仪
-  DS1855-010（一个10kΩ，100位和一个10kΩ，256位置）
-  DS1855-020（一个10kΩ，100位和一个20kΩ，256位置）
-  DS1855-050（一个10kΩ，100位和一个50kΩ，256位置）
-  DS1855-100（一个10kΩ，100位和100kΩ，256位置）
256字节EEPROM内存
通过2线接口访问数据和电位计控制
外部写保护销，以保护数据和电位计设置
数据和电位计设置也可以通过软件控制进行保护
非易失性刮水器存储
从3V或5V用品运营
14针TSSOP，16球CSBGA和14针翻盖芯片套件
工业工作温度：-40ºC至 +85ºC

DS1855框图图1

DS1855框图图1

最多可以安装八辆DS1855S在一辆2线公共通信干线。 通过使用由地址A0至A2的逻辑级别确定的设备地址来实现对单个设备的访问。 此外，DS1855将从3V或5V用品中运行。 提供了三个包装选项：14针TSSOP，16球CSBGA和一个Flip-Chip软件包。

内存组织
DS1855的串行EEPROM在内部组织了256个单字节。 每个单词都需要一个8位地址，用于随机单词地址。 地址F9H的字节确定电位计0的雨刮器设置，其中包含100个位置。 将值高于63h的写入此地址将雨刮器设置为最高位置，但MSB被忽略。 地址上的字节F8H确定电位计1的雨刮器设置，其中包含256个位置（00h到FFH）。 地址位置FAH虽然FFH是保留的，不应写。

MEMORY LOCATION	NAME OF MEMORY LOCATION	FUNCTION OF MEMORY LOCATION
00h – F7h	User Memory	General-purpose user memory.
F8h	Potentiometer 1 Setting	Writing to this byte controls the setting of potentiometer 1, a 256- position pot. Valid settings are 00h to FFh.
F9h	Potentiometer 0 Setting	Writing to this byte controls the setting of potentiometer 0, a 100- position pot. Valid settings are 00h to 63h. MSB is ignored.
FAh	Software Lock Configuration Byte	The three lower bits in this byte can be used to set write-protection to the 256-byte memory block.
				B2	B1	B0
		B2: Writing this bit to a 1 protects the upper page of memory. If this  bit  is  set,  memory  locations  F8h  to  FFh  are  configured  for write-protection. B1: Writing this bit to a 1 protects the upper block of memory. If this  bit  is  set,  memory  locations  80h  to  F7h  are  configured  for write-protection.  The  upper  page  must  be  unlocked  in  order  to modify the locking of this portion of memory. B0: Writing this bit to a 1 protects the lower block of memory. If this  bit  is  set,  memory  locations  00h  to  7Fh  are  configured  for write-protection.  The  upper  page  must  be  unlocked  in  order  to modify the locking of this portion of memory.
FBh – FCh	Lock Bytes	Writing to  these  two  bytes  allows  the  user  to  lock  or  unlock  the memory described in byte FAh. LOCK:  If  memory  location  FBh  is  written  to  56h  and  memory location  FCh  is  written  to  25h,  the  device  will  enter  lock  mode. Write protection will become active in the memory locations that are specified in FAh. UNLOCK: If memory location FBh is written to 67h and memory location FCh is written to 36h, the device will be unlocked. Once unlocked, the user can change the setting of memory location FAh to affect the EEPROM write-protection. The locking can be updated at any time as long as the upper page is unlocked.
FD – FFh	Reserved	Reserved

2线操作
时钟和数据过渡
通常用外部电阻器或设备将SDA引脚高高拉高。 SDA PIN上的数据只能在SCL较低时期内发生变化。 SCL高时期期间的数据变化将根据下面讨论的条件表示开始或停止条件。 有关更多详细信息，请参阅图2中的定时图。
开始条件
SCL高的SDA的高低过渡是必须先于任何其他命令之前的开始条件。 有关更多详细信息，请参阅图2中的定时图。
停止条件
SCL高的SDA的低到高过渡是停止条件。 读取序列后，停止命令将DS1855放置为低功率模式。 有关更多详细信息，请参阅图2中的定时图。
确认
所有地址和数据字节均通过串行协议传输。 DS1855在第九个时钟脉冲期间将SDA线拉低，以确认它已收到每个单词。

游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复