海栎创CST226SE高性能互电容多点触控芯片规格书/datasheet

拼博的佛

CST226SE 系列电容触控芯片，支持单层/多层模组及多种图案，采用7V 以上高压驱动，实现超高灵敏度和极低待机功耗，实现高性能真实多点触摸(带压力检测)。

2. 芯片特点
 内置互电容检测电路及高性能DSP 模块
 在线编程；
 内置看门狗；
 多个按键支持；
 支持被动电容触摸笔；
 支持待机手势唤醒功能；
 电容屏支持
 最多支持26 个驱动/感应通道，并支持TX/RX 互换；
 通道悬空/下拉设计支持；
 模组参数自动调校，最大支持阻抗达80K；
 Cover Lens 厚度支持：玻璃<= 2mm 亚克力<= 1mm；
 性能指标
 典型刷新率80Hz；
 带水操作，大拇指识别及大手掌抑制；
 动态模式下典型功耗8mA；
 监控模式下典型功耗1mA；
 待机模式下典型功耗1mA；
 睡眠模式下典型功耗100uA ;
 通讯接口
 I2C 主/从通讯接口，速率Khz~Mhz 可配置；
 GPIO 支持，多种工作模式可配；
 兼容1.8V/3.3V 接口电平。
 电源供电
 单电源供电2.7V ~ 3.6V，电源纹波<= 50mv；
 除电源旁路电容外，无需其它元器件

3. 引脚分布/说明

引脚分布

名称	说明	备注
TX0~TX15	驱动通道
RX0~RX9	感应通道
VDDA	电源	2.7V~3.6V，接 2.2 ~ 10uF 电容
NC		悬空 或 接地
VSS	地
IRQ	中断输出	上升/下降沿可选
I2C	I2C	可选内部上拉/开漏模式
VTSHV	驱动电压	接 10~100nF 电容，耐 10V
RSTn	复位输入	低有效，可悬空
VSSA	模拟地

4. 功能描述
CST226SE 系列多点电容触控芯片，采用8V 高压驱动，相较传统的低压驱动可提供更高的信噪比和抗噪能力，实现超灵敏触摸；同时，芯片内部互电容感应模块，结合智能扫描算法，在实现快速反应的同时，具有极其优异的抗噪、防水、低功耗表现。

4.1 工作模式

工作模式

 动态模式
当频繁有触摸操作时，处于此模式；在此模式下，触控芯片快速对触摸屏进行智能扫描，以及时检测触摸并上报给主机。
 监控模式
当触摸屏超时无触摸动作时，芯片自动切换到监控模式；在此模式下，触控芯片以较低频率，通过扫描检测可能到来的触摸动作，并迅速切换到动态模式;
 待机模式
当接收到待机命令后，处于此模式；在此模式下，触控芯片以较低频率对触摸屏进行扫描，匹配唤醒手势后进入动态模式，同时通过IRQ 引脚唤醒主机；也可通过唤醒命令切换到动态模式。
 睡眠模式
当接收到睡眠命令后，处于此模式；在此模式下，触控芯片处于深度睡眠状态，以最大限度节省功耗，可通过唤醒命令切换到动态模式。

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gns001

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