Lyontek LY62W12816 128K*16位低功率CMOS SRAM datasheet

buwan11

LY62W12816是一个2,097,152位的低功耗CMOS静态随机存取存储器(SRAM )，由16位组成131,072字。它采用非常高性能、高可靠性的CMOS技术制造，其待机电流在工作温度范围内是稳定的。
LY62W12816是为低功耗应用而设计的，特别适合于电池备份的非易失性存储器应用。
LY62W12816由2.7V〜5.5V的单个电源运行，所有输出均完全兼容。

产品系列

product Family	Operating Temperature	VCC  Range	Speed	Power Dissipation
				Standby(ISB1,TYP.)	Operating(ICC,TYP.)
LY62W12816	0 ~ 70℃	2.7 ~ 5.5V	55/70ns	1µA	20/18mA
LY62W12816(I)	-40 ~ 85℃	2.7 ~ 5.5V	55/70ns	1µA	20/18mA

功能框图

功能框图

引脚描述

SYMBOL	DESCRIPTION
A0 - A16	Address Inputs
DQ0 - DQ15	Data Inputs/Outputs
CE#	Chip Enable Input
WE#	Write Enable Input
OE#	Output Enable Input
LB#	Lower Byte Control
UB#	Upper Byte Control
VCC	Power Supply
VSS	Ground
NC	No Connection

引脚配置


绝对最大额定值

PARAMETER	SYMBOL	RATING	UNIT
Voltage on VCC  relative to VSS	VT1	-0.5 to 6.5	V
Voltage on any other pin relative to VSS	VT2	-0.5 to VCC+0.5	V
Operating Temperature	TA	0 to 70(C grade)	℃
		-40 to 85(I grade)
Storage Temperature	TSTG	-65 to 150	℃
Power Dissipation	PD	1	W
DC Output Current	IOUT	50	mA

直流电特性

PARAMETER	SYMBOL	TEST CONDITION			MIN.	TYP. *4	MAX.	UNIT
Supply Voltage	VCC				2.7	3.0	5.5	V
Input High Voltage	VIH*1				0.7*VCC	-	VCC+0.3	V
Input Low Voltage	*2 VIL				-0.2	-	0.6	V
Input Leakage Current	ILI	VCC  ≧   VIN  ≧   VSS			-1	-	1	µA
Output Leakage Current	ILO	VCC  ≧   VOUT  ≧   VSS, Output Disabled			-1	-	1	µA
Output High Voltage	VOH	IOH  = -1mA			2.4	2.7	-	V
Output Low Voltage	VOL	IOL  = 2mA			-	-	0.4	V
Average Operating Power supply Current	ICC	Cycle time = MIN. CE# = VIL  , II/O = 0mA Other pins at VIL  or VIH		-55	-	20	60	mA
				-70	-	18	50	mA
	ICC1	Cycle time = 1µs CE# = 0.2V , II/O  = 0mA Other pins at 0.2V or VCC - 0.2V			-	4	10	mA
Standby Power Supply Current	ISB1	CE# ≧  VCC - 0.2V Others at 0.2V or VCC - 0.2V	LL/LLI		-	1	50	µA
			SL*5 SLI*5	25℃	-	1	5	µA
				40℃	-	1	5	µA
			SL		-	1	20	µA
			SLI		-	1	25	µA

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