编辑:ll IPA65R650CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA65R650CE 型号:IPA65R650CE 品牌:Infineon(英飞凌) 封装:TO-220F 最大漏源电流:10A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:650mΩ 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸:如图 特性:高压MOS管、N沟道MOS管 工作结温:-40℃~150℃ IPA65R650CE场效应管 IPA65R650CE的电性参数:最大漏源电流10A;漏源击穿电压650V IPA65R650CE应用: 适用于高频开关和同步整流、适配器、照明、服务器.
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