Lyontek LY62W102516 1024k*16 bit低功率CMOS SRAM datasheet

buwan11

LY62W102516是一个16,777,216位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，由16位组织成1,048,576字。它采用非常高性能、高可靠性的CMOS技术制造，其待机电流在工作温度范围内是稳定的。
LY62W102516是为低功耗应用而设计的，特别适合于电池备份的非易失性存储器应用。
LY62W102516在2.7V~5.5V的单一电源下工作，所有的输入和输出都是完全TTL兼容。

产品系列

product Family	Operating Temperature	Vcc Range	Speed	Power Dissipation
				Standby(ISB1,TYP.)	Operating(Icc,TYP.)
LY62W102516	0 ~ 70℃	2.7 ~ 5.5V	55/70ns	10µA(LL)	45/30mA
LY62W102516(I)	-40 ~ 85℃	2.7 ~ 5.5V	55/70ns	10µA(LL)	45/30mA

功能框图

功能框图

引脚描述

SYMBOL	DESCRIPTION
A0 - A19	Address Inputs
DQ0 – DQ15	Data Inputs/Outputs
CE#, CE2	Chip Enable Input
WE#	Write Enable Input
OE#	Output Enable Input
LB#	Lower Byte Control
UB#	Upper Byte Control
VCC	Power Supply
VSS	Ground

引脚配置

引脚配置

绝对最大额定值*

PARAMETER	SYMBOL	RATING	UNIT
Voltage on VCC relative to VSS	VT1	-0.5 to 6.5	V
Voltage on any other pin relative to VSS	VT2	-0.5 to VCC+0.5	V
Operating Temperature	TA	0 to 70(C grade)	℃
		-40 to 85(I grade)
Storage Temperature	TSTG	-65 to 150	℃
Power Dissipation	PD	1	W
DC Output Current	IOUT	50	mA

直流电特性

PARAMETER	SYMBOL	TEST CONDITION		MIN.	TYP. *4	MAX.	UNIT
Supply Voltage	VCC			2.7	3.0	5.5	V
Input High Voltage	V   *1 IH	VCC = 4.5~5.5V		2.4	-	VCC+0.3	V
		VCC = 2.7~4.5V		2.2	-	VCC+0.3	V
Input Low Voltage	V  *2 IL			-0.2	-	0.6	V
Input Leakage Current	ILI	VCC ≧ VIN ≧ VSS		-1	-	1	µA
Output Leakage Current	ILO	VCC ≧ VOUT ≧ VSS Output Disabled		-1	-	1	µA
Output High Voltage	VOH	IOH = -1mA, VCC = 4.5~5.5V		2.4	-	-	V
		IOH = -1mA, VCC = 2.7~4.5V		2.2	-	-	V
Output Low Voltage	VOL	IOL = 2mA		-	-	0.4	V
Average Operating Power supply Current	ICC	Cycle time = Min. CE# = VIL and CE2 = VIH II/O = 0mA Other pins at VIL or VIH	-55	-	45	60	mA
			-70	-	30	45	mA
	ICC1	Cycle time = 1µs CE#≦0.2V and CE2≧VCC-0.2V   II/O = 0mA Other pins at 0.2V or VCC-0.2V		-	8	16	mA
Standby Power Supply Current	ISB	CE# = VIH or CE2 = VIL Other pins at VIL or VIH		-	0.3	2	mA
	ISB1	CE# ≧VCC-0.2V or CE2≦0.2V Other pins at 0.2V or VCC-0.2V	-LL	-	10	60	µA
			-LLI	-	10	100	µA

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