安森美MWCT101XS Arm Cortex-M4F内核2.7V~5.5V感应式传感datasheet

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主要特性
- 工作特性
- 电压范围：2.7 V 至 5.5 V
- 环境温度范围：HSRUN 模式 -40 °C 至 105 °C，RUN 模式 -40 °C 至 125 °C
- Arm™ Cortex-M4F 内核，32 位 CPU
- 支持高达 112 MHz 频率（HSRUN），每 MHz 1.25 Dhrystone MIPS
- 基于 ARMv7 架构和 Thumb®-2 ISA 的 Arm 内核
- 集成数字信号处理器 (DSP)
- 可配置嵌套向量中断控制器 (NVIC)
- 单精度浮点运算单元 (FPU)
- 时钟接口
- 4 - 40 MHz 快速外部振荡器 (SOSC)
- 48 MHz 快速内部 RC 振荡器 (FIRC)
- 8 MHz 慢速内部 RC 振荡器 (SIRC)
- 128 kHz 低功耗振荡器 (LPO)
- 高达 112 MHz（HSRUN） 系统相位锁定环路 (SPLL)
- 高达 50 MHz 直流外部方波输入时钟
- 实时计数器 (RTC)
- 电源管理
- 低功耗 Arm Cortex-M4F 内核，能效卓越
- 具有多种电源模式的电源管理控制器 (PMC)： HSRUN、RUN、STOP、VLPR 和 VLPS。注：在 HSRUN 模式（112 MHz）下，CSEc（安全）或 EEPROM 写入/擦除将触发错误标志，因为这种用例不允许同时执行。器件需要切换到 RUN 模式（80 Mhz）才能执行 CSEc（安全）或 EEPROM 写入/擦除。
- 特定外设支持时钟门控和低功耗运行。
- 存储器和存储器接口
- 多达 2 MB 的程序闪存，带 ECC
- 用于数据闪存的 64 KB FlexNVM，带 ECC 和 EEPROM 仿真。注：CSEc（安全）或 EEPROM 写入/擦除将触发错误标志。注：在 HSRUN 模式（112 MHz）下，CSEc（安全）或 EEPROM 写入/擦除将触发错误标志，因为此用例 不允许同时执行。设备 需要切换到运行模式 (80 MHz) 才能 执行 CSEc（安全）或 EEPROM 写入/擦除。
- 最多 256 KB SRAM（带 ECC
- 多达 4 KB 的 FlexRAM 可用作 SRAM 或 EEPROM 仿真
- 多达 4 KB 代码缓存，可最大限度地降低性能 内存访问延迟的影响
- 支持 HyperBus™ 的 QuadSPI
- 混合信号模拟
- 多达两个 12 位模数转换器 模数转换器 (ADC)，每个模块最多 32 通道模拟输入 模块
- 一个模拟比较器 (CMP)，带内部 8 位 数模转换器 (DAC)
- 调试功能
- 串行线 JTAG 调试端口 (SWJ-DP) 组合
- 调试观察点和跟踪 (DWT)
- 仪器跟踪宏单元 (ITM)
- 测试端口接口单元 (TPIU)
- 闪存修补和断点 (FPB) 单元
- 人机界面 (HMI)
- 带中断功能的 GPIO 引脚多达 89 个
- 非屏蔽中断 (NMI)

- 通信接口
- 最多三个低功耗通用异步接收器/发送器 (LPUART/LIN) 模块，支持 DMA 并具有低功耗特性
- 最多三个低功耗串行外设接口 (LPSPI) 模块，支持 DMA 并具有低功耗可用性
- 最多两个低功耗集成电路 (LPI2C) 模块，支持 DMA 且功耗低
- 最多三个 FlexCAN 模块（可选 CAN-FD 支持）
- 用于仿真通信协议和外设（UART、I2C、SPI、I2S、LIN、PWM 等）的 FlexIO 模块。
- 安全和保障
- 加密服务引擎 (CSEc) 实现了 SHE（安全硬件扩展）功能规范中描述的一整套加密功能。
注：在 HSRUN 模式（112 MHz）下，CSEc（安全）或 EEPROM 的写入/擦除将触发错误标志，因为不允许同时执行此用例。设备需要切换到 RUN 模式 (80 MHz) 才能执行 CSEc（安全）或 EEPROM 写入/擦除。
- 128 位唯一标识 (ID) 号
- 闪存和 SRAM 存储器上的纠错码 (ECC)
- 系统内存保护单元（System MPU）
- 循环冗余校验 (CRC) 模块
- 内部看门狗 (WDOG)
- 外部看门狗监控器 (EWM) 模块
- 定时和控制
- 多达八个独立的 16 位 FlexTimers (FTM) 模块，提供多达 64 个标准通道（IC/OC/PWM）
- 一个 16 位低功耗定时器 (LPTMR)，具有灵活的唤醒控制功能
- 两个可编程延迟块 (PDB)，具有灵活的触发系统
- 一个 32 位低功耗中断定时器 (LPIT)，带 4 个通道
- 32 位实时计数器 (RTC)
- 输入/输出和封装
- 64 引脚 LQFP、100 引脚 LQFP 和 100 引脚 MAPBGA 封装选项
- 使用 DMAMUX 的 16 通道 DMA，最多 63 个请求源

1 框图
下图显示了该设备的超集高级结构框图。该系列中的其他器件具有这些功能的子集。有关芯片的具体数值，请参阅功能比较。.

图 1. MWCT101xS 系列的高层架构图

图 1. MWCT101xS 系列的高层架构图

4.1 绝对最大额定值
表 1. 绝对最大额定值

Symbol	Parameter	Conditions1	Min	Max	Unit
2 VDD	2.7 V - 5. 5V input supply voltage	—	-0.3	5.8 3	V
VREFH	3.3 V / 5.0 V ADC high reference voltage	—	-0.3	5.8 3	V
I                      4 INJPAD_DC_ABS	Continuous DC input current (positive / negative) that can be injected into an I/O pin	—	-3	+3	mA
VIN_DC	Continuous DC Voltage on any I/O pin with respect to VSS	—	-0.8	5.85	V
IINJSUM_DC_ABS	Sum of absolute value of injected currents on all the pins (Continuous DC limit)	—	—	30	mA
6 Tramp	ECU supply ramp rate	—	0.5 V/min	500 V/ms	—
7 Tramp_MCU	MCU supply ramp rate	—	0.5 V/min	100 V/ms	—
8 TA	Ambient temperature	—	-40	125	°C
TSTG	Storage temperature	—	-55	165	°C
VIN_TRANSIENT	Transient overshoot voltage allowed on I/O pin beyond VIN_DC limit	—	—	6.8 9	V

4.2 电压和电流运行要求
表 2. 电压和电流操作要求 1

Symbol	Description	Min.	Max.	Unit	Notes
2 VDD	Supply voltage	2.73	5.5	V	4
VDD_OFF	Voltage allowed to be developed on VDD pin when it is not powered from any external power supply source.	0	0.1	V
VDDA	Analog supply voltage	2.7	5.5	V	4
VDD – VDDA	VDD-to-VDDA differential voltage	– 0.1	0.1	V	4
VREFH	ADC reference voltage high	2.7	VDDA + 0.1	V	5
VREFL	ADC reference voltage low	-0.1	0.1	V
VODPU	Open drain pullup voltage level	VDD	VDD	V	6
I                    7 INJPAD_DC_OP	Continuous DC input current (positive / negative) that can be injected into an I/O pin	-3	+3	mA
IINJSUM_DC_OP	Continuous total DC input current that can be injected across all I/O pins such that there's no degradation in accuracy of analog modules: ADC and ACMP (See section Analog Modules)	—	30	mA

2023-9-14 13:46 上传 MWCT101XSF.PDF

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