Vishay 2N7002K 2Ω N沟道60V（D-S）MOSFET datasheet

sichuguancha

特点
- 低导通电阻：2 Ω
- 低阈值：2 V（典型值）
- 低输入电容：25 pF
- 快速开关速度：25 ns
- 低输入和输出漏电
- TrenchFET® 功率 MOSFET
- 2000 V ESD 保护

优点
- 低偏移电压
- 低电压运行
- 无需缓冲器即可轻松驱动
- 高速电路
- 低误差电压

应用
- 直接逻辑级接口： TTL/CMOS
- 驱动器
继电器、电磁阀、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器

订购信息

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Package	SOT-23
Lead (Pb)-free	2N7002K-T1-E3
Lead (Pb)-free and halogen-free	2N7002K-T1-GE3

绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
PARAMETER		SYMBOL	LIMIT	UNIT
Drain-source voltage		Vos	60	V
Gate-source voltage		Vcs	100 ±20
Continuous drain current(TJ =150°C)b	TA=25C	o	0.3	A
	TA= 100℃		0.19
Pulsed drain current a		DM	0.8
Power dissipation b	TA=25°C	Po	0.35	W
	TA=100C		0.14
Maximum junction-to-ambient b		RthJA	350	C/W
Operating junction and storage temperature range		TJ, stg	-55 to+150	℃

2023-11-10 15:39 上传 2n7002k.pdf

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Vishay 2N7002K 2Ω N沟道60V（D-S）MOSFET datasheet

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