PE42546 是一款 HaRP™ 技术增强型反射式 SP4T 射频开关芯片,支持 9kHz 至 52GHz 的宽频率范围。它具有插入损耗低、开关时间快和隔离性能高等特点,是测试与测量 (T&M)、5G 毫米波、微波回程、雷达和卫星通信应用的理想之选。如果射频端口不存在直流电压,则无需阻塞电容器。
PE42546 采用 pSemi 的 UltraCMOS® 工艺制造,这是一种获得专利的硅绝缘体 (SOI) 技术变体。
特点
支持高达 52 GHz 的宽带
45 GHz 时插入损耗低至 2.9 dB
60 ns 的快速切换时间
35 dBm 的高输入 P1dB
端口间隔离度高达 41 dB
支持 -40 °C 至 +105 °C 的工作温度
封装:20 引线 3×3 mm LGA
应用
测试和测量 (T&M)
5G 毫米波
微波回程
雷达
卫星通信
图 1 - PE42546 功能图
图 1 - PE42546 功能图
表 1 - PE42546 的绝对最大额定值
Parameter/Condition | Min | Max | Unit | VoD Positive Supply Voltage | -0.3 | 3.6 | V | ss Negative Supply Voltage | -3.6 | 0.3 | V | Digital Input Voltage | -0.3 | Voo+0.3 | V | Storage Temperature | -65 | 150 | °C | ESD voltage HBM, All Pins Except RF(1) | 2000 |
| V | ESD voltage HBM, RF Pins1 ] | 600 |
| V | ESD voltages, CDM, All Pins2) | 1000 |
| V |
建议的运行条件
表 2 - PE42546 的建议工作条件
Parameter | Min | Typ | Max | Unit | VDD Positive Supply Voltage | 3.15 | 3.3 | 3.45 | V | VSS Negative Supply Voltage | -3.45 | -3.3 | -3.15 | V | IDD Positive Supply Current |
| 3 |
| μA | ISS Negative Supply Current |
| -110 |
| μA | Control Voltage High | 1.2 |
| 3.3 | V | Control Voltage Low | 0 |
| 0.8 | V | Digital Input Leakage Current |
|
| 35 | μA | RF Input Power, CW (RFC-RFX) |
|
| Fig. 2 | dBm | RF Input Power, Pulsed (RFC-RFX) |
|
| Fig. 2 | dBm | Temperature Range | -40 | 25 | 105 | °℃ |
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