ubiq QN3109M6N N沟道30V快速开关MOSFET datasheet

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QN3109M6N 是最高性能的沟槽 N 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDSON 和栅极电荷。
QN3109M6N 符合 RoHS 和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

特点
先进的高电池密度沟槽技术
超低栅极电荷
可提供绿色器件

应用
用于 MB/NB/UMPC/VGA 的高频负载点同步降压转换器
网络 DC-DC 电源系统
负载开关

BVDSS	RDSON (VGS=10V)	ID (Tc=25℃)
30V	1.5m2	154A

绝对最大额定值

Symbol	Parameter	Rating	Units
Vos	Drain-Source Voltage	30	V
Vcs	Gate-Source Voltage	±20	V
Io@Tc=25℃	Continuous Drain Current, Ves @ 10v¹.7	154	A
Ip@Tc=100℃	Continuous Drain Current, Ves @10V¹ ·	97	A
ID@TA=25℃	Continuous Drain Current, Ves @ 10V'	29
Ip@TA=70℃	Continuous Drain Current, Ves @ 10V'	23	A
IDM	Pulsed Drain Current²	308	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	270.1	mJ
IAS	Avalanche Current	73.5	A
Po@Tc=25℃	Total Power Dissipation	56	W
Pp@TA=25℃	Total Power Dissipation	2	W
TSTG	Storage Temperature Range	-55 to 150	℃
TJ	Operating Junction Temperature Range	55 to 150	℃

热数据

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Unit
ReJA	Thermal Resistance Junction-Ambient		62	℃W
ReJc	Thermal Resistance Junction-Case		2.2	℃/W

2023-11-7 10:10 上传 QN3109M6N-UBIQ.pdf

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QN3109M6N 是最高性能的沟槽 N 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的 ...

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