安路科技的 EF2S45 FPGA，是基于安路科技成熟可靠的低成本、低功耗可编程 FPGA-EF2L45，采用最新的 3D 合封技术，与两片 4Mx8bits 的 PSRAM 合封而成。特别适用于大容量与高速数据的采集、传输和变换等应用。
特色优势：
多品种，大容量的内置存储空间
内置两片 4Mx8bits 的 PSRAM 存储空间，最高 200MHz 工作频率，最大读写带宽 400MBps
内置 12 块 ERAM9K 随机读写 RAM，可配置为真双口、简单双口、单口 RAM 和 FIFO 工作模式，位宽可配置为 512x18, 1Kx9, 2Kx4, 4Kx2, 8Kx1, 最高频率 220Mhz
内置 6 块 ERAM32K 随机读写 RAM，可配置为单口 RAM,双口 RAM，可独立配置为 2Kx16 或者 4Kx8
支持 128Kbits、256Kbits 大块嵌入存储器。
更小封装，更多 IO, 更利于 PCB 布线的引脚排布
BGA81 封装，0.4mm 引脚间距，封装尺寸 4.2x4.2mm
多达 56 个用户 IO
内置 PSRAM，不占用外部用户 IO
支持 True LVDS 输入输出，支持最高接收频率 800Mbps，最高发送频率 800Mbps
内置 4Mbits 的 SPI FLASH，上电后，可开放给用户使用。
1 简介
1.1 SALELF®
2S45（以下简称 EF2S45）器件特性
灵活的逻辑结构
4500 个 LUTs
最大用户 IO 数量为 57 个
低功耗器件
先进的 55nm 低功耗工艺
静态功耗低至 5mA
双电源
内置 Flash
无需外部配置器件
支持快速上电启动
支持分布式和嵌入式存储器
最大支持 35 Kbits 分布存储器
最大支持 700Kbits 嵌入块存储器
容量块存储器 9K 和 32K，可配置为真双口，多种组合模式
ERAM9K 具有专用 FIFO 控制逻辑
支持 128Kbits、256Kbits 大块嵌入存储器
可配置逻辑模块(PLBs)
优化的 LUT4/LUT5 组合设计
双端口分布式存储器
支持算数逻辑运算
快速进位链逻辑
源同步输入/输出接口
输入/输出单元包含 DDR 寄存器，支持
DDRx1、DDRx2 模式
高性能，灵活的输入/输出缓冲器
可配置支持以下单端标准
-LVTTL,
LVCMOS(3.3/2.5/1.8/1.5/1.2V)
- PCI
通过配置支持以下差分标准
- LVDS, Bus-LVDS, MLVDS, RSDS,
LVPECL
支持热插拔
可配置上拉/下拉模式
片内 100 欧姆差分匹配电阻
优化 MIPI HS/LP IO 支持
时钟资源
16 路全局时钟
每个 BANK 2 路针对高速 I/O 接口设计的
IOCLK
优化全局时钟的 2 路快速时钟
多功能 PLLs 用于频率综合
- 7 路时钟输出
- 分频系数 1 到 128
- 支持 5 路时钟输出级联
- 动态相位选择
配置模式
主模式串行 SPI (MSPI)
JTAG 模式 (IEEE-1532)
BSCAN
兼容 IEEE-1149.1
增强安全设计保护
每个芯片拥有唯一的 64 位 DNA
嵌入式硬核 IP
内置环形振荡器
封装形式
封装类型：BGA
表 1-1-1 EF2S45 器件资源
| Device | LUTs | DRAM
(Kbs) | ERAM | Total
(Kbits
) | DSP | PLL | Flash | PSRAM | MAX
iser | MCU | | 9K | 32K | 128K | 256K | | EF2S45 | 4480 | 35 | 12 | 6 | 1 | 1 | 700 | 15 | 1 | 4Mb | 64Mb | 56 | / | | EF2M45 | 4480 | 35 | 12 | 6 | 1 | 1 | 700 | 15 | 1 | 4Mb | 64Mb | 56 | 1 |
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发表于 2023-11-3 10:57
