VISHAY SiSS5108DN N沟道100V（D-S）MOSFET datasheet

sichuguancha

特点
- TrenchFET® V 代功率 MOSFET
- 极低的 RDS x Qg 功率因数 (FOM)
- 针对最低 RDS x Qoss FOM 进行调谐
- 通过 100% Rg 和 UIS 测试
- 材料分类：有关

应用
- 同步整流
- 原边开关
- 直流/直流转换器
- 电源
- 电机驱动控制

产品摘要
Vps (V)	100
Rps(on)max.(Q)at Vas =10 V	0.0105
RpS(on)max.(Q)at Vas =7.5 V	0.0124
Qg typ.(nC)	11.2
lb(A)a	55.9
Configuration	Single

ORDERING               INFORMATION
Package			PowerPAK 1212-8S
Lead (Pb)-free and halogen-free			SiSS5108DN-T1-GE3

ABSOLUTE    MAXIMUM    RATINGS    (TA=25°C,unless         otherwise         noted)
PARAMETER		SYMBOL		LIMIT		UNIT
Drain-source voltage		VDs		100		V
Gate-source voltage		Vgs		±20
Continuous drain current (TJ=150 ℃	Tc   =25℃	b		55.9		A
	Tc=70   ℃			44.7
	TA=25℃			15.4 b,c
	TA=70 ℃			12.3 b,c
Pulsed drain current (t =100 μs		DM		120
Continuous source-drain diode current	Tc=25 ℃	ls		59.8
	TA=25 ℃			4.5 b,c
Single pulse avalanche current	L=0.1   mH	lAs		20
Single pulse avalanche energy		EAs		20		mJ
Maximum power dissipation	Tc=25℃	PD		65.7		W
	Tc=70   ℃			42.1
	TA=25 ℃			5 b,c
	TA=70 ℃			3.2 b,c
Operating junction and storage temperature range		TJ,Tstg		-55 to +150		℃
Soldering recommendations (peak temperature)d,e				260

THERMAL        RESISTANCE        RATINGS
PARAMETER		SYMBOL		TYPICAL	MAXIMUM	UNIT
Maximum junction to ambient b	t≤10 s	RthJp		20	25	°C/W
Maximum junction to case (drain)	Steady state	RthJc		1.5	1.9

2023-11-7 10:14 上传 siss5108dn.pdf

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VISHAY SiSS5108DN N沟道100V（D-S）MOSFET datasheet

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