Vishay SiJ4108DP N沟道100V（D-S）MOSFET datasheet

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特点
- TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
- 极低的 Qg 和 Qoss 降低了功率损耗并提高了效率
- 柔性引线可承受机械应力
- 通过 100% Rg 和 UIS 测试
- Qgd/Qgs 比率 < 1 可优化开关特性
- 材料分类：符合性定义

应用
- 同步整流
- 高功率密度 DC/DC
- 直流/交流逆变器
- 升压转换器
- LED 背光

product           SUMMARY
Vps (V)	100
Rps(on)max.(Q)at Vas =10 V	0.009
Rps(on)max.(Q)at Vas =7.5 V	0.0106
Qg typ.(nC)	26.5
lb(A)a	56.7
Configuration	Single

ORDERING          INFORMATION
Package		PowerPAK SO-8L
Lead (Pb)-free and halogen-free		SiJ4108DP-T1-GE3

ABSOLUTE    MAXIMUM    RATINGS    (TA=25      °℃,unless      otherwise      noted)
PARAMETER		SYMBOL	LIMIT		UNIT
Drain-source voltage		VDs	100		V
Gate-source voltage		Vgs	±20
Continuous drain current (TJ=150 ℃	Tc=25 ℃	lb	56.7		A
	Tc=70℃		45.3
	TA=25   ℃		15.2 b,c
	TA=70 ℃		12.1 b,c
Pulsed drain current (t=100 μs		IDM	150
Continuous source-drain diode current	Tc=25℃	ls	63.1
	TA=25℃		4.5 b,c
Single pulse avalanche current	L=0.1   mH	lAs	25
Single pulse avalanche energy		EAs	31.25		mJ
Maximum power dissipation	Tc=25 ℃	PD	69.4		W
	Tc=70℃		44
	TA=25   ℃		5 b,c
	TA=70 ℃		3.2 b,c
Operating junction and storage temperature range		Tj,Tstg	-55 to +150		℃
Soldering recommendations (peak temperature)d,t			260
THERMAL          RESISTANCE          RATINGS
PARAMETER		SYMBOL	TYPICAL	MAXIMUM	UNIT
Maximum junction-to-ambient b,1	t≤10 s	RthJr	20	25	℃/W
Maximum junction-to-case (drain)	Steady state	RthJc	1.3	1.8

2023-11-7 10:10 上传 sij4108dp.pdf

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Vishay SiJ4108DP N沟道100V（D-S）MOSFET datasheet

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