PE42582 是一款采用 HaRP™ 技术的增强型吸收式 SP8T 射频开关，支持 9 kHz 至 8 GHz 的频率范围。PE42582 提供一个外部 VSS 引脚，用于旁路内部负电压发生器，以实现无杂散性能。该器件隔离度高、插入损耗低、开关时间快，是测试与测量 (T&M) 和 8 GHz 以下无线应用中滤波器组开关和射频信号路由的理想之选。如果射频端口不存在直流电压，则无需阻塞电容器。
PE42582 采用 pSemi 的 UltraCMOS® 工艺制造，这是一种获得专利的先进硅绝缘体 (SOI) 技术。
pSemi 的 HaRP 技术增强了高线性度和出色的谐波性能。它是 UltraCMOS 工艺的一项创新功能，既具有砷化镓的性能，又具有传统 CMOS 的经济性和集成性。
特点
- 高隔离度： 41 dB @ 6 千兆赫
- 插入损耗低： 1.1 dB @ 6 GHz
- 227 毫微秒的快速开关时间
- 33 dBm CW 功率处理
- 逻辑选择 (LS) 引脚提供最大的控制逻辑灵活性
- 终端全关断状态模式
- 外部 VSS 引脚可消除杂散
- 封装 - 24 引线 4 × 4 × 0.85 mm QFN
应用
- 测试和测量
- 高达 8 GHz 的无线应用
- 滤波器组切换
- 射频信号路由
图 1 - PE42582 功能图
图 1 - PE42582 功能图
表 1 - PE42582 的绝对最大额定值
| Parameter/Condition | Min | Max | Unit | | Supply voltage,Vpp | -0.3 | 5.5 | V | | Digital input voltage (V1,V2,V3,V4,LS) | -0.3 | 3.6 | V | | RF input power (RFC-RFX,50Q) |
| See Figure 2 | dBm | | RF input power into terminated ports,CW(RFX,50Q) |
| See Figure 2 | dBm | | Maximum junction temperature |
| +150 | ℃ | | Storage temperature range | -65 | +150 | ℃ | | ESD voltage HBM,all pins(1) |
| 1000 | V | | ESD voltage CDM,all pins(3) |
| 1000 | V |
建议的运行条件
表 2 列出了 PE42582 的建议工作条件。设备不应在以下建议的操作条件之外运行。
表 2 - PE42582 的建议工作条件
| Parameter | Min | Typ | Max | Unit | | Normal mode (Vss_Exr=0V)(1) | | Supply voltage,Vpp | 2.3 | 3.3 | 5.5 | V | | Supply current,Ipp |
| 120 | 200 | μA | | Bypass mode (Vss_Exr=-3.0V}(2) | Supply voltage,VDD
(Table 3 spec.compliance applies for Vpp≥3.4V) | 3.1 | 3.4 | 5.5 | V | | Supply current,Ipp |
| 80 | 160 | μA | | Negative supply voltage,Vss EXT | -3.3 | -3.0 | -2.7 | V | | Negative supply current,Iss | -40 | -16 |
| μA | | Normal or Bypass mode | | Digital input high (V1,V2,V3,V4,LS) | 1.17 |
| 3.6 | V | | Digital input low (V1,V2,V3,V4,LS) | -0.3 |
| 0.6 | V | Digital input current
V1,V2,V3,V4
LS |
|
| 5
10 | μA
μA | | RF input power,CW (RFC-RFX)(3) |
|
| See Figure 2 | dBm | | RF input power,pulsed (RFC-RFX)(4) |
|
| See Figure 2 | dBm | | RF input power into terminated ports,CW (RFX)(3) |
|
| See Figure 2 | dBm | | Operating temperature range | -40 | +25 | +105 | C | Notes:
1)Normal mode:connect Vss_EXT(pin 7)to GND (Vss_EXT=0V to enable internal negative voltage generator.
2)Bypass mode:use Vss_EXT(pin 7)to bypass and disable internal negative voltage generator.
3)100%duty cycle,all bands,50Q
4)Pulsed,5%duty cycle of 4620 μs period,50Q |
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发表于 2023-11-3 14:49
