Vishay IRF510 TO-220AB封装50W功率MOSFET

sichuguancha

IRF510

Vishay的第三代功率MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
TO-220AB封装普遍适用于功率耗散水平在 50W 左右的所有工商业应用。

特点
- 动态 dV/dt 额定值
- 重复雪崩额定值
- 175 °C 工作温度
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单

product              SUMMARY
Vps (V)	100
Rps(on)(2)	Vgs =10 V	0.54
Qg max.(nC)	8.3
Qgs(nC)	2.3
Qgd  (nC)	3.8
Configuration	Single

ORDERING            INFORMATION            INFORMATION
Package	TO-220AB
Lead (Pb)-free	RF510PbF
Lead (Pb)-free and halogen-free	IRF510PbF-BE3

ABSOLUTE      MAXIMUM      RATINGS     (Tc=25     °C,unless     otherwise     noted)
PARAMETER			SYMBOL	LIMIT	UNIT
Drain-source voltage			Vbs	100
Gate-source voltage			Vas	±20
Continuous drain current	Vas at 10 V	Tc=25   ℃	lD	5.6	A
		Tc=100   ℃		4.0
Pulsed drain current a			IbM	20
Linear derating factor				0.29	W/C
Single pulse avalanche energy b			EAs	75	mJ
Repetitive avalanche current a			IAR	5.6	A
Repetitive avalanche energy a			EAR	4.3	mJ
Maximum power dissipation	Tc=25 ℃		PD	43	W
Peak diode recovery dV/dt c			dV/dt	5.5	V/ns
Operating junction and storage temperature range			TJ,Tstg	-55 to +175	C
Soldering recommendations (peak temperature)d	For 10 s			300
Mounting torque	6-32 or M3 screw			10	lbf·in
				1.1	N·m

2023-11-6 17:27 上传 irf510.pdf

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Vishay的第三代功率MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组 ...

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