Vishay IRF520 TO-220AB封装50W功率MOSFET datasheet

sichuguancha

IRF520是Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。
TO-220AB 封装普遍适用于功率耗散水平在 50W 左右的所有工商业应用。

特点
- 动态 dV/dt 额定值
- 重复雪崩额定值
- 175 °C 工作温度
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 材料分类：用于符合性定义

product          SUMMARY
Vps (V)	100
Rps(on)(2)	Vgs =10 V	0.27
Qg max.(nC)	16
Qgs(nC)	4.4
Qgd(nC)	7.7
Configuration	Single

ORDERING          INFORMATION
Package	TO-220AB
Lead (Pb)-free	RF520PbF
Lead (Pb)-free and halogen-free	RF520PbF-BE3

ABSOLUTE      MAXIMUM      RATINGS     (Tc=25     °℃,unless    otherwise    noted)
PARAMETER			SYMBOL	LIMIT	UNIT
Drain-source voltage			Vbs	100
Gate-source voltage			Vas	±20
Continuous drain current	Vas at 10 V	Tc=25   ℃	lp	9.2	A
		Tc=100   ℃		6.5
Pulsed drain current a			IbM	37
Linear derating factor				0.40	W/C
Single pulse avalanche energy b			EAs	200	mJ
Repetitive avalanche current a			IAR	9.2	A
Repetitive avalanche energy a			EAR	6.0	mJ
Maximum power dissipation	Tc=25   ℃		Pp	60	W
Peak diode recovery dV/dt C			dV/dt	5.5	V/ns
Operating junction and storage temperature range			Tj,Tstg	-55 to +175	℃
Soldering recommendations (peak temperature)d	For 10 s			300
Mounting torque	6-32 or M3 screw			10	lbf·in
				1.1	N·m

THERMAL          RESISTANCE          RATINGS
PARAMETER	SYMBOL	TYP.	MAX.	UNIT
Maximum junction-to-ambient	RthJA		62	°C/W
Case-to-sink,flat,greased surface	Rthcs	0.50
Maximum junction-to-case (drain)	RthJc		2.5

2023-11-6 14:56 上传 irf520.pdf

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Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳 ...

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