ZB25D40B 非易失性闪存设备支持标准串行外设接口 (SPI)。支持传统的 SPI 单位串行输入和输出(单 I/O 或 SIO),以及可选的双位(双 I/O 或 DIO)串行协议。这种多宽度接口称为 SPI 多 I/O 或 MIO。
SPI 协议只使用 4 个信号:
芯片选择 (CS#)
串行时钟 (CLK)
串行数据
- IO0 (DI)
- O1 (DO)
ZB25D40B 支持标准串行外设接口 (SPI) 和双输出 SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (DI)、O1 (DO)。支持高达 100MHz 的 SPI 时钟频率,使用快速读取双输出时,双输出的等效时钟速率可达 200MHz(100MHz x 2)。这些传输速率超过了标准异步 8 位和 16 位并行闪存。
ZB25D40B 为空间、信号连接和电源有限的系统提供了理想的存储解决方案。这些存储器的灵活性和性能均优于普通串行闪存器件,是向 RAM 传输代码、直接执行代码(XIP)和存储可重复编程数据的理想选择。
特点
电源电压
- 单路 2.7V-3.6V 电源
4M 位串行闪存
- 4 M 位/512K 字节/2,048 页
- 每个可编程页 256 字节
- 统一 4K 字节段,32K/64K 字节 块
新型 SpiFlash 存储器系列
- 标准 SPI: CLK、CS#、DI、DO、WP#
- 双 SPI: CLK、CS#、DI、DO、WP#
- 自动递增读取功能
温度范围
- 工业(-40°C 至 85°C)
- 工业(-40°C 至 105°C)
- 工业(-40°C 至 125°C)
低功耗
- 1/2 μA 典型待机电流
- 1/2 μA 典型掉电电流
采用 4KB 扇区的灵活架构
- 扇区擦除(4K 字节)
- 块擦除(32K/64K 字节)
- 页编程(最多 256 字节
- 擦除/编程周期超过 100K
- 数据保存期超过 20 年
高级安全功能
- 软件和硬件写保护
- 每个设备都有 128 位唯一 ID
高性能编程/擦除速度
- 页面编程时间:典型值为 1.2ms
- 扇区擦除时间:典型值 75ms
- 块擦除时间:典型值 0.35s
- 芯片擦除时间:典型值为 2.3s
封装选项
- SOP8 - 150mil/208mil
- TFBGA24
- TSSOP8 - 173mil
- DFN8(1.5*1.5*0.45 毫米)
- DFN8(2*3*0.55 毫米)
- 所有无铅封装均符合 RoHS 规范
2 框图
图 2.1 框图
图 2.1 框图
3 连接图
图 3.1 SOP8(150/208 密耳)/ DIP8(300 密耳)
图 3.1 SOP8(150/208 密耳)/ DIP8(300 密耳)
图 3.2 DFN8
图 3.2 DFN8
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