氮化镓芯片 GAN140-650FBEZ_GAN140-650EBEZ 采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装

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供应和收购氮化镓芯片 GAN140-650FBEZ_GAN140-650EBEZ 650 V、140 mOhm 氮化镓 (GaN) FET，采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装

器件说明
GAN140-650FBEZ_GAN140-650EBEZ 是一款通用型 650 V、140 mΩ 氮化镓 (GaN) FET，采用 DFN 8 mm x 8 mm 表面贴装封装。它是一款常关型电子模式器件，具有卓越的性能。



产品属性
FET 类型： N 通道  
技术： GaNFET（氮化镓）  
漏源电压（Vdss）： 650 V  
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：17A（Ta）  
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 @ 5A，6V  
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V @ 17.2mA  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.5 nC @ 6 V  
Vgs（最大值）： +7V，-1.4V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 125 pF @ 400 V  
功率耗散（最大值）： 113W（Ta）  
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）  
安装类型： 表面贴装，可润湿侧翼  
供应商器件封装： DFN8080-8  
封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘

应用
高功率密度和高效率电源转换
交流-直流转换器、图腾柱 PFC
直流-直流转换器
快速电池充电、手机、笔记本电脑、平板电脑和 USB Type-C 充电器
数据通信和电信（AC-DC 和 DC-DC）转换器
电机驱动器
太阳能（光伏）逆变器
D 类音频放大器、电视 PSU 和 LED 驱动器


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