ncepower NCE82H140 82V 140A N沟道增强型功率MOSFET datasheet

sichuguancha

NCE82H140采用先进的沟道技术和设计，具有出色的 RDS(ON)，栅极电荷低。它可用于各种应用。

一般特性
VDS = 82V，ID = 140A
RDS(ON) < 6mΩ @ VGS=10V (典型值：4.3mΩ)
特殊工艺技术实现高 ESD 能力
高密度电池设计，实现超低 Rdson
完全特性化的雪崩电压和电流
具有高 EAS 的良好稳定性和一致性
优异的封装，散热性能好

应用
功率开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源

包装标记和订购信息

Deyice Marking	Device	Device Package	Reel Size	Tape width	Quantity
NCE82H140	NCE82H140	TO-220-31

绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）

Parameter	Symbol	Limit	Unit
Drain-Source Voltage	VDs	82	V
Gate-Source Voltage	VGs	±20	V
Drain Current-Continuous	lo	140	A
Drain Current-Continuous(Tc=100℃	b(100℃)	99	A
Pulsed Drain Current	lbM	480	A
Maximum Power Dissipatio	Po	220	W
Derating facto		1.47	WIC
Single pulse avalanche energy Noe⁵	EAs	1200	mJ
Operating Junction and Storage Temperature Range	Tj,Tsrg	55 To 175	℃

电气特性（TC=25℃，除非另有说明）

Parameter	Symbol	Condition	Min	Typ	Max	Unit
Off Characteristics
Drain-Source Breakdown Voltage	BVpss	Vcs=0V Ip=250μA	82			V
Zero Gate Voltage Drain Current	lbss	Vps=82V,Vgs=0V			1	μA
Gate-Body Leakage Current	GSS	Vcs=±20V,Vps=0V			±100	nA
On Characteristics(Note 3)
Gate Threshold Voltage	Vgs(th	Vps=Vcs,lp=250μA	2	3	4	V
Drain-Source On-State Resistance	Rps(ON	Vgs=10V,lp=20A		4.3	6.0	mΩ
Forward Transconductance	gFS	Vps=5V,Ip=20A	65	一		S
Dynamic Characteristics(Note4)
nput Capacitance	Ciss	Vps=40V,Vcs=0V, F=1.0MHz		7900	一	PF
Output Capacitance	Coss			445		PF
Reverse Transfer Capacitance	Crss			384	一	PF
Switching Characterictice(Note
Turn-on Delay Time	td(on)	Vpp=30V,RL=1Ω Vcs=10V,RgEn=2.5Q		23	一	nS
Turn-on Rise Time	tr			42		nS
Turn-Off Delay Time	ta(ofn)			75		nS
Turn-Off Fall Time	tf			26	一	nS
Total Gate Charge	Qg	Vps=40V,Ip=20A Vcs=10V		158		nC
Gate-Source Charge	Qgs			32		nC
Gate-Drain Charge	Qgd			51		nC
Drain-Source Diode Characteristics
Diode Forward Voltage (Note 3)	Vsp	Vcs=0V,Is=140A		一	1.2	V
Jiode Forward Current (Note 2	ls			一	140	A
Reverse Recovery Time	tr	TJ=25℃,IF =20A di/dt =100A/us(Note3		50	一	nS
Reverse Recovery Charge	Qrr			110	一	nC

2023-11-7 14:58 上传 NCE82H140-NCEPowerSemiconductor.pdf

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NCE82H140采用先进的沟道技术和设计，具有出色的 RDS(ON)，栅极电荷低。它可用于各种应用。 ...

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