该芯片为 8 位 RISC MCU
主要特征:
工作电压:2.5V ~ 3.6V
内部集成高、低速度振荡器
低速 -- 32KHz
高速 -- 4.9MHz
多种工作模式:正常模式、休眠模式、空闲模式
提供休眠模式、空闲模式 0、空闲模式 1 和唤醒功能,以降低功耗
所有指令都可在一个或两个指令周期内完成
OTP:8K * 16bit 空间
SRAM:256 byte
主要外设:
-- 1 通道 8 位逐次逼近 ADC
-- 2 通道 24 位 sigma-delta ADC
--温度传感器
其它
一个 8 位可编程定时/计数器
一个时基功能,用于产生固定时间的中断信号
5 个中断源
两路 8 位脉宽调制(PWM)输出
10/13 个双向 I/O 口与 I/O 口复用外部中断输入
封装形式:SOP16、SOP20
2 框架图
2 框架图
3 引脚
5 电气特性
极限参数
参数名称 | 参数符号 | 极限值 | 单 位 | 电源电压 | VDD | -0.3~+5.5 | V | 输入电压 | Vin | -0.3~VDD+0.3 | V | 输出端 | Vout | -0.3~+5.5 | V | 工作温度范围 | Topr | -40~+85 | ℃ | 储存温度范围 | Tstg | -55~+150 | ℃ | 静电ESD | 人体模式(HBM) | 4000 | V |
电气特性
在VDD=2.5~3.6V及工作温度-40~+85℃下测试,
除非另有说明 | TM8101B | 单位 | 参数名称 | 参数符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 电源电压 | VDD |
| 2.5 | 3.3 | 3.6 | V | 正常工作电流 | IDD1 |
|
| 2.5 |
| mA | 待机电流 | IDD2 |
|
| 82.6 |
| uA | 高电平输入电压 | Vih | VDD=3.3V | 2.8 |
| VDD | V | 低电平输入电压 | Vil | VDD=3.3V | 0 | 0.6 | 1 | V | 内部高速RC | HIRC |
| 3.4 | 4.9 | 7.4 | MHz | 内部低速RC | LIRC |
| 21.4 | 32 | 55 | KHz |
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2 RD币 购买记录
- 天微TM8108B 256 byte SRAM 8位RISC指令集OTP MCU datasheet
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