NCEPOWER NCE60T2K2I NCE60T2K2K 600V N沟道SJ-III系列功率MOSFET datasheet

sichuguancha

该系列器件采用先进的沟槽栅超级结技术和设计，具有出色的 RDS(ON)，栅极电荷低。这款超级结 MOSFET 符合业界对 PFC、AC/DC 电源转换和工业电源应用的 AC-DC SMPS 要求。

特点
高压器件新技术
低导通电阻和低传导损耗
小型封装
超低栅极电荷，降低驱动要求
100% 通过雪崩测试
符合 ROHS 标准

应用
功率因数校正（PFC）
开关模式电源（SMPS）
不间断电源（UPS）

包装标记和订购信息

Deyice	Device Package	Marking
NCE60T2K2I	TO-251	NCE60T2K2I
NCE60T2K2K	TO-252	NCE60T2K2K

表 1. 绝对最大额定值 (TC=25℃)

Parameter		Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage (Vcs=0V)		Vbs	600	V
Gate-Source Voltage (Vps=0V),AC(f>1 Hz)		Vgs	±30	V
Continuous Drain Current  at Tc=25℃		lb(Dc)	2	A
Continuous Drain Current  at Tc=100℃		o(pc)	1.25	A
(Note  1) Pulsed drain current		lDM  (pluse)	8	A
Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)                     Derate above 25℃		DL]	21 0.168	W W/C
Single pulse avalanche energy	(Note2)	EAs	12	mJ
Avalanche current(Note 1)		IAR	0.3	A
Repetitive Avalanche energy,tar limited by Tjmax (Note  1)		EAR	0.06	mJ

Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain Source voltage slope,Vbs ≤480 V,	dv/dt	50	V/ns
Reverse diode dv/dt,Vps ≤480 V,Isp<Ip	dv/dt	15	V/ns
Operating Junction and Storage Temperature Range	T.T 1J,I    STG	-55…+150	℃

表 2. 热特性

Parameter	Symbol	Value	Unit
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Maximum)	Rthc	5.95	°CW
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient  (Maximum)	RthJA	75	C W

2023-11-8 15:54 上传 NCE60T2K2I.pdf

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该系列器件采用先进的沟槽栅超级结技术和设计，具有出色的 RDS(ON)，栅极电荷低。这款超级结 MOSFET 符合业 ...

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