HK32F103 系列使用高性能的 ARM® CortexTM-M3 32 位的 RISC 内核，最高工作频率 80MHz，内置高达 128KB FLASH、20KB SRAM，1 个高性能计时器，3 个通用计时器，2 个 SPI 串行同步通讯接口，2 个 I2C 串行通讯接口，3 个 USART串行异步通讯接口，1 个 USB2.0 Full Speed 串行通信接口，1 个 CAN 总线控制器，2 个 12 位 SAR 模拟数字转换器，1 个片内温度传感器。
系统配置
客户需要区分 STM32F103 与 HK32F103 芯片
问题描述：
有一些客户需要通过识别 STM32F103 与 HK32F103 芯片，来实现应用程序或更高级后台软件的兼容处理。
解决方法：
通过读取下图中，4 个地址的低字节，进行判断。
区分 STM32F103 与 HK32F103 芯片
时钟配置
HSE 起振电容
HSE 起振电容
推荐：
HSE 起振电容，我们推荐使用 22pF。
HSE 跨接电阻
问题描述：
不同的晶体，采用不同的匹配电容，可能得到的频率都不同。
解决方案：
可以通过，增加一个 1M 欧姆电阻，来调整频率。
HSE 起振时间
问题描述：
HK32F103 起振时间较 STM32F103 稍长,导致如果使用 st 的代码进行系统初始化的时候,错误地检测到外部晶振无法起振。
解决方案：
通过将晶振起振等待计数变量的最大值(宏定义)改大的方式来延长起振的检测时间。
晶振起振等待计数变量的最大值(宏定义)改大
HSE 误使能
问题描述：
在使用 HK32F103 HSI 时，误使能了 HSE，但是外部没有接 HSE 电路和晶体，导致在外部有电机干扰时，出现程序跑死。
原因：在配置 sysclk 为 HSI-PLL 之前，先 enable 了 HSE，然后等待 HSE ready，如果没有等到 HSE ready 会 timeout 然后配置 sysclk 为 HSI-PLL。
因为板子上没有接外部晶体，同时在上电的时候外部有干扰发生，HSE 会输入毛刺误触发 HSE ready，这样在 timeout 之前就可能等到 HSE ready，然后 sysclk 就被软件错误配置为了 HSE-PLL，但实际上 HSE 没有输入，这样芯片就跑死了。
解决方案：
不使用 HSE，将它 disable。
电源管理
WFE 进入低功耗模式
问题描述：
如果用户程序希望通过 WFE 使芯片进入低功耗模式，则在下列情况下第一个 WFE 指令并不能使芯片进入低功耗模式：
在执行 WFE 之前，程序响应过中断。（因为根据 ARM Cortex-M3 的设计，只要执行中断返回指令就会在 CPU 内部记录一个 event，然后再执行 WFE 的时候就会被记录在 CPU 内部的 event 直接唤醒，因此从 MCU 芯片的角度开上去就是没有进入低功耗模式。）
解决方法：
1. 使用 WFI 进入低功耗模式；
2. 使用如下序列进入：
__SEV();
__WFE();
__WFE();
ST 的芯片没有遵从 ARM 的设计要求，因此 ST 的芯片即使在执行 WFE 执行响应过中断，也能通过 WFE 进入低功耗模式。这个在 ST 的勘误表中有描述。
ST 的勘误表描述
STOP 低功耗模式 JTDO 管脚处理方法
问题描述:
测试 STOP 模式工作电流时，为了达到标称值 10uA，需要按照下面的条件进行测试。
问题分析:
无
解决方法:
措施 1：如果不使用 JTAG 功能，仅使用 SWDP 功能，那么在进入低功耗模式前, 必须通过设置 AFIO_MAPR 将 SWJ 配置为 JTAG 关闭。
措施 2：如果 JTAG 和 SWD 都不使用，那么在进入低功耗模式前, 必须通过设置AFIO_MAPR 将 SWJ 配置为 JTAG/SWDP 都关闭。
措施 3：不管是否使用 JTAG 功能，那么在进入低功耗模式前，也可以通过在 TDO 管脚接上拉电阻来处理。按照 JTAG 下载线推荐电路，TDO 外接一个 10K 上拉电阻。
Notes：
AFIO_MAPR:SWJ_CFG[:0] 配置为 010(仅 SWD) 或 100(调试口关闭) .
例如使用 ST 库函数来配置:
GPIO_PinRemapConfig(GPIO_Remap_SWJ_JTAGDisable, ENABLE); // Enable SW but disable JTAG
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发表于 2023-11-10 10:24
