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[资料] 50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65

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发表于 2024-1-6 11:14:28 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
编辑:ll
50N65-ASEMI高压N沟道MOS50N65
型号:50N65
品牌:ASEMI
封装:TO-247
连续漏极电流(Id):50A
漏源电压(Vdss):650V
功率(Pd):388W
芯片个数:2
引脚数量:3
类型:插件、高压MOS
特性:N沟道MOS管、高压MOS
RDS(on):60 mΩ
VGS:±30V
封装尺寸:如图
工作温度:-55°C~150°C
50N65特性:
50N65采用先进的沟槽技术,提供出色的RDSON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该器件适用于负载开关应用。.
50N65应用领域:
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装
PWM应用
负载开关
电源管理
50N65-ASEMI.jpg 50N65-ASEMI-1.jpg 50N65-ASEMI-2.jpg


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