立即注册
查看: 90|回复: 0

[资料] 4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65

已绑定手机
发表于 2024-1-8 10:00:39 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
编辑:ll
4N65-ASEMI小功率N沟道MOS4N65
型号:4N65
品牌:ASEMI
封装:TO-220F
连续漏极电流(Id):4A
漏源电压(Vdss):650V
功率(Pd):50W
芯片个数:2
引脚数量:3
类型:插件、高压MOS
特性:N沟道MOS管、高压MOS
导通内阻RDS(on):25Ω
VGS:±30V
封装尺寸:如图
工作温度:-55°C~150°C
4N65特性:
4N65采用先进的沟槽技术,提供出色的RDSON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该器件适用于负载开关应用。
4N65应用领域:
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装
PWM应用
负载开关
电源管理
4N65-ASEMI.jpg 4N65-ASEMI-1.jpg 4N65-ASEMI-2.jpg


您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

合作/建议

TEL: 19168984579

工作时间:
周一到周五 9:00-11:30 13:30-19:30
  • 扫一扫关注公众号
  • 扫一扫打开小程序
Copyright © 2013-2024 一牛网 版权所有 All Rights Reserved. 帮助中心|隐私声明|联系我们|手机版|粤ICP备13053961号|营业执照|EDI证
在本版发帖搜索
扫一扫添加微信客服
QQ客服返回顶部
快速回复 返回顶部 返回列表