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[资料] 7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65

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发表于 2024-1-8 11:01:31 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
编辑:ll
7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65
型号:7N65
品牌:ASEMI
连续漏极电流(Id):4A
漏源电压(Vdss):650V
栅极阈值电压:±30V
单脉冲雪崩能量:150mJ
集电极电流(脉冲):8A
导通内阻RDS(on):1.3Ω
功率(Pd):50W
芯片个数:1
封装:TO-220F
工作温度:-55°C~150°C
引脚数量:3
类型:插件塑封二极管、高压MOS
7N65描述:
采用先进的沟槽技术,提供出色的RDSON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该器件适用于负载开关应用。
7N65应用领域
PWM应用
负载开关
电源管理
7N65-ASEMI.jpg 7N65-ASEMI-1.jpg 7N65-ASEMI-2.jpg


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