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[资料] S25FL128SAGMFI000存储器,CY8C4147AZS-S475微控制器,PJQ4401P 晶体管

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发表于 2024-1-11 09:59:01 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
明佳达,星际金华 供求 S25FL128SAGMFI000 非易失性存储器,CY8C4147AZS-S475 嵌入式系统微控制器,PJQ4401P 30V P 沟道增强模式 MOSFET 晶体管

S25FL128SAGMFI000 非易失性存储器

S25FL128SAGMFI000 FL-S NOR 闪存器件是一款 2.7V 至 3.6V / 1.65V 至 3.6V VIO 伏特非易失性存储器,采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 技术。128-Mb S25FL128S FL-S NOR 采用带页编程缓冲器的 Eclipse 架构设计,允许用户在一次操作中编程多达 128 个字(256 字节),与上一代 SPI 编程或擦除算法相比,编程和擦除速度更快。该器件通过串行外设接口 (SPI) 连接到主机系统,支持传统的 SPI 单位串行输入和输出(Single I/O 或 SIO)、可选的两位(Dual I/O 或 DIO)和四位(Quad I/O 或 QIO)串行命令。

产品属性
存储器类型: 非易失  
存储器格式: 闪存  
技术: FLASH - NOR  
存储容量:128Mb  
存储器组织: 16M x 8  
存储器接口: SPI - 四 I/O  
时钟频率:133 MHz  
电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V  
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)  
安装类型: 表面贴装型  
封装/外壳 :16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)  
供应商器件封装: 16-SOIC

CY8C4147AZS-S475 嵌入式系统微控制器

CY8C4147AZS-S475 PSoC™ 4 是一种可扩展、可重新配置的平台架构,适用于采用 Arm® Cortex®-M0+ CPU 的可编程嵌入式系统控制器系列,同时符合 AEC-Q100 标准。

产品属性:
产品种类: ARM微控制器 - MCU
封装 : TQFP-64
核心: ARM Cortex M0+
程序存储器大小: 128 kB
数据总线宽度: 32 bit
ADC分辨率: 12 bit
最大时钟频率: 48 MHz
输入/输出端数量: 54 I/O
数据 RAM 大小: 16 kB
电源电压-最小: 1.71 V
电源电压-最大: 5.5 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
模拟电源电压: 1.71 V to 5.5 V
数据 Ram 类型: SRAM
数据 ROM 大小: 8 kB
数据 Rom 类型: SROM
接口类型: I2C, SPI, UART
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 3.3 V

PJQ4401P 30V P 沟道增强模式 MOSFET 晶体管

PJQ4401P是一款30V P 沟道增强模式 MOSFET。

产品属性
FET 类型: P 通道  
技术: MOSFET(金属氧化物)  
漏源电压(Vdss): 30 V  
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :10A(Ta),50A(Tc)  
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :8.5 毫欧 @ 10A,10V  
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27 nC @ 4.5 V  
Vgs(最大值): ±20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3228 pF @ 15 V  
功率耗散(最大值): 2W(Ta),60W(Tc)  
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)  
安装类型: 表面贴装型  
供应商器件封装: DFN3333-8  
封装/外壳: 8-PowerVDFN

特性
RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A<8.5mΩ
RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-8A<14mΩ
高开关速度
改进的 dv/dt 能力
低栅极电荷
低反向传输电容
无铅,符合欧盟 RoHS 2.0 标准
符合 IEC 61249 标准的绿色模塑化合物


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