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[资料] AMEYA360报导:瑞萨宣布收购Transphorm,大举进军GaN

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发表于 2024-1-12 14:13:12 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 上海市奉贤区
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布双方已达成最终协议,根据该协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股,较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%,较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%,较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。
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  此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材料)的内部技术,从而扩展其在电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。
  作为碳中和的基石,对高效电力系统的需求正在不断增加。为了应对这一趋势,相关产业正在向以碳化硅(SiC)和GaN为代表的宽禁带(WBG)材料过渡。这些先进材料比传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围。在此势头下,瑞萨已宣布建立一条内部SiC生产线,并签署了为期10年的SiC晶圆供应协议。
  瑞萨现目标是利用Transphorm在GaN方面的专业知识进一步扩展其WBG产品阵容。GaN是一种新兴材料,可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸。这些优势使客户的系统具有更高效、更小、更轻的结构以及更低的总体成本。也因此,根据行业研究,GaN的需求预计每年将增长50%以上。瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案,例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案,以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。
  瑞萨首席执行官柴田英利表示:“Transphorm是一家由来自加州大学圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、经验丰富的团队所领导的公司。Transphorm GaN技术的加入增强了我们在IGBT和SiC领域的发展势头。它将推动和扩大我们的关键增长支柱之一的功率产品阵容,使我们的客户能够选择最佳的电源解决方案。”
  Transphorm联合创始人、总裁兼首席执行官Primit Parikh博士以及Transphorm联合创始人兼首席技术官Umesh Mishra博士表示:“结合瑞萨全球布局、广泛的解决方案和客户关系,我们很高兴能为WBG材料的行业广泛采用铺平道路,为其显着增长奠定基础。这项交易还将使我们能够为客户提供进一步扩展服务,并为我们的股东带来可观的即时现金价值。此外,它将为我们杰出的团队提供一个强大的平台,以进一步发展Transphorm卓越的GaN技术和产品。”
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