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[资料] STM32G474CBT3,STM32G474QET3,STM32G474RBT3闪存微控制器

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发表于 2024-1-17 10:22:54 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
明佳达,星际金华供求 STM32G474CBT3,STM32G474QET3,STM32G474RBT3闪存微控制器

STM32G474CBT3:
描述
STM32G474CBT3器件基于高性能的 Arm® Cortex®-M4 32 位 RISC 内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4 内核具有单精度浮点运算单元 (FPU),支持所有 Arm 单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了全套 DSP(数字信号处理)指令和内存保护单元 (MPU),以提高应用的安全性。

产品属性
核心处理器: ARM® Cortex®-M4F  
内核规格: 32 位单核  
速度: 170MHz  
外设: 欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT  
I/O 数: 38  
程序存储容量: 128KB(128K x 8)  
程序存储器类型: 闪存  
RAM 大小: 128K x 8  
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V  
数据转换器: A/D 20x12b; D/A 7x12b  
振荡器类型: 内部  
工作温度: -40°C ~ 125°C(TA)  
安装类型: 表面贴装型  
封装/外壳: 48-LQFP  
供应商器件封装: 48-LQFP(7x7)

STM32G474QET3:
描述
STM32G474QET3混合信号微控制器 (MCU) 结合了运行频率为170MHz的32位Arm® Cortex®-M4内核(带FPU和DSP指令)。

产品属性
核心处理器 ARM® Cortex®-M4F  
内核规格: 32 位单核  
速度: 170MHz  
外设: 欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT  
I/O 数: 38  
程序存储容量: 128KB(128K x 8)  
程序存储器类型: 闪存  
RAM 大小: 128K x 8  
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V  
数据转换器: A/D 20x12b; D/A 7x12b  
振荡器类型 内部  
工作温度: -40°C ~ 125°C(TA)  
安装类型: 表面贴装型  
封装/外壳: 48-LQFP  
供应商器件封装: 48-LQFP(7x7)

特性:
Arm Cortex-M4 (DSP + FPU) 170MHz处理器
ART Accelerator™
数学加速器
带纠错码 (ECC) 的双存储区闪存
SRAM奇偶校验位
安全存储区
四路SPI
CAN-FD
USART、SPI、I2C、SAI
具有硬件过采样功能的ADC(16位分辨率)
先进的电机控制定时器
多个DMA和DMAMUX
集成稳压器PLL和时钟电路
温度传感器
Vbat模式
具有供电功能的USB Type-C接口,包括物理层 (PHY)
AES硬件加密

STM32G474RBT3:
产品描述
STM32G474RBT3基于高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC内核。它们的工作频率高达170兆赫。

规格:
核心处理器:ARM®Cortex®-M4F
核心尺寸:32位单核心
速度:170MHz
连接:CANbus、I²C、IrDA、LINbus、QSPI、SPI、UART/USART
外围设备:烧坏检测/复位、DMA、I²S、POR、PWM、WDT
I/O数量:52
程序内存大小:128KB(128K x 8)
程序内存类型:FLASH
内存大小:128K x 8
电源电压(Vcc/Vdd):1.71V~3.6V
数据转换器:A/D 26x12b;D/A 7x12b型
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C~125°C(TA)

特征:
7 x超快轨对轨模拟比较器
4 x无缓冲内部通道15 MSPS
3个缓冲外部通道1个MSPS
6个可在PGA模式下使用的运算放大器,所有端子均可接入


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